測量范圍：0.1M to 1×10^-6M、6355 to 0.065 mg/L（ppm）Cu²⁺

溫度范圍：0 to 80 °C；最佳pH范圍：3 to 7 pH；近似斜率@25oC：+27mV

單位轉(zhuǎn)換【Cu²⁺】：M（mol/L）=6.354 x 10⁴ mg/L（ppm）、mg/L（ppm）=1.574 x 10^-4 M（mol/L）

干擾物：不得存在銀和汞，任何會反應(yīng)生成比硫化銅更難溶的物質(zhì)的離子濃度較高時會影響測量，
              比如：Bi³⁺、Fe²⁺、Br^-、Cl^-，長時間暴露在此類溶液中會損壞電極；銅表面的氧化也會損傷電極。

適用范圍：水溶液中的游離銅離子濃度測定，也可作為指示電極用于銅離子的絡(luò)合滴定

HI4108-11固態(tài)膜銅【Cu²⁺】ISA離子標(biāo)準(zhǔn)液綜合套裝
該套裝適合固態(tài)膜銅【Cu²⁺】ISE離子選擇復(fù)合電極處理、校準(zhǔn)、清洗保存，有效保證測量讀數(shù)準(zhǔn)確性和可靠性。
HI4000-00 專用ISA離子強度調(diào)節(jié)液，規(guī)格：460mL；【測量前每100mL標(biāo)液和樣品加2mL】
HI4008-01 專用銅【Cu²⁺】ISE標(biāo)準(zhǔn)液，標(biāo)準(zhǔn)值：0.1M，規(guī)格：460mL
HI7072 定制專用電極填充液，成分：1M KNO₃，規(guī)格：30mL×4

HI4000-70 定制專用離子電極打磨拋光帶，規(guī)格：24個/組
電極表面發(fā)生劃傷或氧化后可用拋光帶擦亮電極，清除電極膜表面不均勻顆粒污染，避免電極響應(yīng)緩慢、讀數(shù)漂移或重復(fù)性較差現(xiàn)象發(fā)生。
適用于HI4102、HI4103、HI4107、HI4108、HI4109、HI4111、HI4112、HI4115 離子電極膜表面維護(hù)處理

銅【Cu²⁺】ISE離子選擇復(fù)合電極注意事項

? 濃度低于10^-3M（63.6ppm）的標(biāo)液需要每天配置；濃度大于0.10M的樣品稀釋后測量，對于高離子強度的樣品可以使用標(biāo)準(zhǔn)加入法或滴定法測量。

? 校準(zhǔn)溶液和樣品溶液需要在相同的離子強度條件下測量，ISA必須同時以相同體積添加；校準(zhǔn)溶液和樣品溶液需要在相同的溫度下測量。

    校準(zhǔn)溶液和樣品溶液需要在相同的攪拌條件下測量，使用磁力攪拌器時，使用絕熱材料避免攪拌器傳熱。
    電極斜率不符合要求時，可將電極浸泡在標(biāo)準(zhǔn)液（＜10^-3M）中一段時間可以改善。

    校準(zhǔn)時建議從低濃度標(biāo)液開始測量，帶數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀數(shù)，濃度越低所需要的穩(wěn)定時間越長

? 測量不同樣品間隙用去離子水清洗電極并吸干水分，避免交叉污染，注意不要擦到電極膜。
    測量數(shù)據(jù)不穩(wěn)定時，檢查電極頭錐形面是否有異物，需要時清潔電極內(nèi)部并更換填充液

    將PH保持在4-6之間以避免生成氫氧化銅；將電極浸泡在稀釋的標(biāo)液中可以提高電極的響應(yīng)，可以使用10^-3M的標(biāo)液浸泡。

    如果發(fā)現(xiàn)電極傳感器表面有氣泡，輕輕甩動趕走氣泡即可；避免溫度的劇烈變化，否則會損壞電極

    傳感器表面發(fā)生擦傷、凹陷、失去光澤時會引起讀數(shù)的漂移，可以使用HI4000-70拋光片對電極表面進(jìn)行處理。

    溫度變化可能會使電極內(nèi)部產(chǎn)生氣泡，輕輕拍打電極即可趕走膜表面的氣泡。

? 使用前撕掉陶瓷結(jié)點表面的封口膜，安裝好電極后添加HI7072填充液，測量時將填充口打開。

    填充液會以緩慢的速度滲出，這是正常的，但是如果滲出速度大于4cm/24h，則需要檢查電極蓋是否擰緊或者電極頭的錐形面有沒有雜物顆粒存在造成縫隙。

    每天測量前檢查填充液液面，低于填充口2cm以上需要添加填充液。電極內(nèi)部產(chǎn)生結(jié)晶時需要更換新的填充液。

? 電極短期保存可放在稀釋的標(biāo)準(zhǔn)液（＜10^-3M）中保存,長時間不用應(yīng)拆分電極，沖洗干凈，用密封膜封住陶瓷結(jié)點，給傳感器加上保護(hù)蓋，分開干燥保存。