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KEITHLEY 4200-SCS型半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)

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品牌名稱(chēng)
吉時(shí)利
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廣東深圳市
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產(chǎn)品詳情

keithley吉時(shí)利4200-SCS的I-V特性測(cè)量:

keithley吉時(shí)利4200-SCS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)I-V測(cè)量功能的核心單元是SMU (源測(cè)量單元) ;

SMU集4種功能于- -體:電壓源、電壓表、電流源、電流表;

可以向器件提供驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)測(cè)量電流,也可以向器件提供電流并測(cè)量電壓;

圖形化的KITE軟件可以輕松地設(shè)定測(cè)試條件,設(shè)定電壓或電流,被測(cè)點(diǎn)數(shù),保護(hù)電壓或電流值,完成各種I-V參數(shù)測(cè)試;

SM的數(shù)量與被測(cè)器件的端口數(shù)有關(guān),原則上有幾個(gè)端口,就要配幾個(gè)SMU。


一般來(lái)說(shuō),keithley吉時(shí)利4200-SCS系統(tǒng)的最基本的組成部分就是I-V部分,I-V測(cè) 試是最基本,最核心的測(cè)試內(nèi)容,C-V測(cè)試,乃至脈沖I-V的測(cè)試都是其擴(kuò)展部分,根據(jù)用戶(hù)的經(jīng)費(fèi)情況和研究的器件類(lèi)型。來(lái)對(duì)這個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行配置。


吉時(shí)利4200-SCS型半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn):

●直觀的、點(diǎn)擊式Windows操作環(huán)境

●獨(dú)特的遠(yuǎn)端前置放大器,將SMU的分辨率擴(kuò)展至0.1fA

●用于高級(jí)半導(dǎo)體測(cè)試的新型脈沖與脈沖式I-V功能

●集成了示波與脈沖測(cè)量功能的新型示波卡

●內(nèi)置PC提供快速的測(cè)試設(shè)置、強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析、制圖與打印、以及測(cè)試結(jié)果的大容量存儲(chǔ)

●獨(dú)特的瀏覽器風(fēng)格的軟件界面,根據(jù)器件的類(lèi)型來(lái)安排測(cè)試,可以執(zhí)行多項(xiàng)測(cè)試并提供測(cè)試序列與循環(huán)控制功能

●內(nèi)置了Stress/Measure,循環(huán)和數(shù)據(jù)分析功能,通過(guò)鼠標(biāo)點(diǎn)擊方式就可進(jìn)行可靠性測(cè)試,包括5個(gè)JEDEC規(guī)范的樣品測(cè)試

●支持 Keithley590 型與 Agilent 4284/4294型C-V儀、Keithley開(kāi)關(guān)矩陣與Agilent 81110脈沖發(fā)生器等多種外圍設(shè)備

●硬件由keithley交互式測(cè)試環(huán)境(KITE)來(lái)控制,用戶(hù)測(cè)試模塊功能,可用于外接儀表控制與測(cè)試平臺(tái)集成,是KITE功能的擴(kuò)充

●包括驅(qū)動(dòng)軟件,支持CascadeMicrotech Summit 12K系列、Karl Suss PA-200和PA-300,Micromanipulator 的8860自動(dòng)和手動(dòng)探針臺(tái)

●支持先進(jìn)的半導(dǎo)體模型參數(shù)提取,包 括IC-CAP和Cadence BSIMProPlus/Virtuoso


keithley吉時(shí)利4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)用于實(shí)驗(yàn)室級(jí)的器件直流參數(shù)測(cè)試、實(shí)時(shí)繪圖與分析,具有高精度和亞fA級(jí)的分辨率。keithley吉時(shí)利4200-SCS提供了最先進(jìn)的系統(tǒng)集成能力,包括完整的嵌入式PC機(jī),WindowsNT操作系統(tǒng)與大容量存儲(chǔ)器。其自動(dòng)記錄、點(diǎn)擊式接口加速并簡(jiǎn)化了獲取數(shù)據(jù)的過(guò)程,這樣用戶(hù)可以更快地開(kāi)始分析測(cè)試結(jié)果。


KEITHLEY吉時(shí)利4200-SCS 相關(guān)應(yīng)用:

●半導(dǎo)體器件

●片上參數(shù)測(cè)試

●晶圓級(jí)可靠性

●封裝器件的特性分析

●使用Model4200-SCS控制外部LCR表進(jìn)行C-V、I-V特性分析

●高K柵電荷俘獲

●易受自加熱效應(yīng)影響的器件和材料的等溫測(cè)試

●電荷泵方法分析MOSFET器件的界面態(tài)密度

●電阻式或電容式MEMS驅(qū)動(dòng)特性分析

●光電器件

●半導(dǎo)體激光二極管DC/CW特性分析

●收發(fā)模塊DC/CW特性分析

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●電化學(xué)


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